कैसे PMOS और NMOS के बीच भरपाई के लिए?

[haadi20]

मैं एक पूरक VCO युग्मित पार पर काम कर रहा हूँ.मैंने पढ़ा है कि अगर PMOS और NMOS के आयाम रखा जाता है वही है, में एक बेमेल हो सकता है वर्तमान PMOS के निचले गतिशीलता के कारण.

मेरा प्रश्न है कि मैं कैसे अनुकार में यह अनुमान कर सकते हैं?डीसी सिमुलेशन के रूप में मेरे वर्तमान में से एक मान देता है.

दूसरे, अगर मैं इस बेमेल बचना चाहते हैं, कैसे बड़ी PMOS के रूप में NMOS की तुलना की जानी चाहिए को कम गतिशीलता के लिए क्षतिपूर्ति?

कुछ जल्दी .. जवाब के लिए आगे खोज
सादर,

 

[khouly]

frist आदेश सन्निकटन के लिए केवल प्रौद्योगिकी के मॉडल कार्ड से दोनों के बीच mobilty अनुपात मिल

या के लिए और अधिक सटीक.विधि और दोनों डब्ल्यू मिल / एल rario को चालू ही मिल के लिए डीसी विश्लेषण करना

khouly

 

[haadi20]

जब मैं PMOS और NMOS अलग से की डीसी विश्लेषण करते हैं, मैं वही नोड voltages जो मैं VCO डीसी विश्लेषण या अन्य voltages में मिल का उपयोग करना चाहिए पूर्वाग्रह के लिए इस्तेमाल किया जा सकता उपकरणों?

सादर

 

[khouly]

यह वही होना चाहिए

नियंत्रण रेखा के बारे में VCO PMOS और NMOS के बीच बिंदु / VDD होना चाहिए 2

यह मानती है कि दोनों NMOS और PMOS वही पूर्वाग्रह बात करनी चाहिए

khouly

 

[haadi20]

मध्य बिंदु वोल्टेज VDD के पास / 2 है.यह 588 600mV के बजाय एम.वी. है.मैं संलग्न कर रहा हूँ जो तस्वीर सेटअप और परिणाम से पता चलता है.

अजीब बात यह है कि PMOS और NMOS के आयाम बिल्कुल (39um/65nm) वही हैं फिर भी वर्तमान और काफी निकट से मिलान है ... कोई स्पष्टीकरण?

Isn't भ्रामक है?

सादर आइएमजी [/]
क्षमा करें, लेकिन आप में प्रवेश करने की जरूरत है इस संलग्नक देखें

 

[khouly]

मॉडल कार्ड में mobilty की जांच

khouly

 

[haadi20]

मैं परिणाम ब्राउज़र की जाँच की,
गतिशीलता (लो) NMOS - 10.67 ई-3 सेमी ˛ / बनाम
गतिशीलता (लो) PMOS - 5.377 ई-3 सेमी ˛ / बनाम

तो, अनुपात 1.98 है ... लेकिन जब मैं एक चौड़ाई, 1.98 बार परिणामस्वरूप नाली धाराओं .... NMOS के साथ PMOS उपयोग विभिन्न ... (NMOS: 1.54mA और PMOS: 2.93mA हैं)

अधिक अस्पष्टता ...!!

wot गलत कर रही हूँ ...

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_question.gif" alt="सवाल" border="0" />सादर,

 

[khouly]

यह बहुत अजीब है, हाँ

u मुझे sned कर सकते हैं मॉडल कार्ड, और मैं कोशिश अनुकरण करेंगे

khouly

 

[haadi20]

मैं PMOS और NMOS की दहलीज voltages की जाँच की, और वे इस प्रौद्योगिकी के क्षेत्र में अलग हैं ... है इस कारण कि नाली दोनों के साथ (एक ही समान है डब्ल्यू / एल लेकिन अलग गतिशीलता के लिए चालू) क्योंकि तेज वोल्टेज .. अलग है .?

कोई टिप्पणी नहीं कर सकता हूँ?

.. धन्यवाद

 

[khouly]

कुछ भी यू दोनों trainsistor की गतिशीलता की जांच की जरूरत है, यह अलग किया जाना चाहिए

अगर गतिशीलता ही है, यह दिखा सकते हैं कैसे धाराओं वही कर रहे हैं

khouly

 

[haadi20]

जैसा कि मैंने अपने पिछले पोस्ट में से एक में उल्लिखित .... mobilities फिर नीचे दी गई ... अलग हैं:

गतिशीलता (लो) NMOS - 10.67 ई-3 सेमी ˛ / बनाम
गतिशीलता (लो) PMOS - 5.377 ई-3 सेमी ˛ / बनाम

एक ही कारण मैं देख रहा हूँ कि तेज voltages अलग हो जाता है और वह है धाराओं समान ...

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_question.gif" alt="सवाल" border="0" />सादर

 

[khouly]

मैं देख रहा हूँ कि Nmos दो बार PMOS है, उर ओवरराइड वोल्टेज है Nmos और PMOS के बीच उसी अनुपात है

khouly

 

[haadi20]

हाँ, तेज लगभग उसी अनुपात है, लेकिन वास्तव में नहीं ....

हद से ज़्यादा थकाना (NMOS): 92.65mV
हद से ज़्यादा थकाना (PMOS): 195.44mV

इसके अलावा, तेज अनुपात गतिशीलता के लिए ठीक नहीं है क्योंकि यह तुलना (Vgs-पांचवीं) mobilities जबकि ˛ चुकता है हो सकता है ..! नहीं है!

सादर

 

[khouly]

चैनल सबसे कम लंबाई का उपयोग कर उर भूलना नहीं है, यह भी चैनल लंबाई मॉडुलन कारक वर्तमान अनुपात में एक बड़ी भूमिका निभानी होगी मतलब

यू बड़े एल के साथ एक ही स्थापना कर सकते हैं, यह कोई परिणाम प्रदर्शित कर सकते हैं

khouly

 

[haadi20]

मैं दोनों PMOS और NMOS के विभिन्न लंबाई के साथ की जाँच की और पाया है कि लंबाई बढ़ के रूप में, वर्तमान में अंतर कम लंबाई की तुलना में अधिक है के रूप में.मैं नीचे जानकारी लिख रहा हूँ.मुझे इसके बारे में आपकी टिप्पणियों पता है ...

सभी मामलों में डब्ल्यू 39um है

एल = 60 एनएम (न्यूनतम लम्बाई)
NMOS = Id 1.541 MA
NMOS = 92.65 एम वी तेज
PMOS = Id 1.538 MA
PMOS = 195.44 एम वी तेजएल = 120 एनएम
NMOS = Id 1.05 MA
NMOS = 118.35 एम वी तेज
PMOS = Id 1.15 MA
PMOS = 235.46 एम वी तेजएल = 180 एनएम
NMOS = Id 0.827 MA
NMOS = 139.01 एम वी तेज
PMOS = Id 0.914 MA
PMOS = 266.26 एम वी तेजएल = 240 एनएम
NMOS = Id 0.673 MA
NMOS = 152.79 एम वी तेज
PMOS = Id 0.782 MA
PMOS = 280.4 एम वी तेज

सादर,

 

[khouly]

नहीं भूलना है कि यह तकनीक बहुत कम है और चैनल में राज्यमंत्री उपकरणों लगभग एक द्विघात रिश्ता रैखिक नहीं बन

और इस शो y अनुपात के बीच रैखिक है और वर्तमान पर हावी वोल्टेज

khouly