हम क्यों एक वर्तमान आईने में एक डायोड (यानी कनेक्ट गेट और नाली) का उपयोग करें?

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iVenky

Guest
वर्तमान दर्पण में हम गेट और नाली (या बेस और कलेक्टर इतना है कि हम एक डायोड है) कनेक्ट. लेकिन अगर आप आउटपुट में एक ही वर्तमान की जरूरत है यह पर्याप्त है अगर हम गेट या (आधार) पर एक ही वोल्टेज है. इसका मतलब है कि भले ही हम गेट से कनेक्ट नहीं और नाली हम गेट पर बराबर वोल्टेज होगा. क्यों तो हम गेट और नाली से कनेक्ट होना चाहिए? अग्रिम धन्यवाद. Razz :: Razz:
 
[बोली = iVenky, 1069978] ... क्यों तो हम गेट और नाली से कनेक्ट होना चाहिए? [/ उद्धरण] Counterquestion: क्यों नहीं? यह सरल सर्किट समाधान है [सूची] [*] सुनिश्चित करने के लिए "मास्टर" संतृप्ति क्षेत्र में ट्रांजिस्टर (MOSFET) काम करता है, यानी सक्रिय मोड में (लाभ) [*] ... और अभी उपलब्ध बिजली की आपूर्ति वोल्टेज [सूची /] की एक अपेक्षाकृत छोटे से हिस्से की खपत
 
[बोली] ... और अभी उपलब्ध बिजली की आपूर्ति वोल्टेज [बोली /] खपत का एक अपेक्षाकृत छोटा सा हिस्सा मैं पहला वाक्य को समझते हैं, लेकिन कैसे तुम्हें क्या लगता है कि यह बिजली की आपूर्ति वोल्टेज के छोटे हिस्से की खपत?
 
[बोली = iVenky, 1069978] एक वर्तमान दर्पण में हम गेट और नाली से कनेक्ट (या बेस और कलेक्टर इतना है कि हम एक डायोड है). लेकिन अगर आप आउटपुट में एक ही वर्तमान की जरूरत है यह पर्याप्त है अगर हम गेट या (आधार) पर एक ही वोल्टेज है. इसका मतलब है कि भले ही हम गेट से कनेक्ट नहीं और नाली हम गेट पर बराबर वोल्टेज होगा. क्यों तो हम गेट और नाली से कनेक्ट होना चाहिए? अग्रिम धन्यवाद Razz :: Razz [बोली /] यदि आप नाली के गेट से कनेक्ट नहीं है, तो फाटक चल रहा है. नाली जोड़ने के द्वारा, आप नाली वोल्टेज गेट पूर्वाग्रह का उपयोग कर रहे हैं.
 
[बोली = iVenky, 1069995] ... आप कैसे कहते हैं कि यह बिजली की आपूर्ति वोल्टेज के छोटे हिस्से की खपत [बोली /] CMOS प्रक्रियाओं के लिए ≧ 1μm पांचवीं «CMOS प्रक्रियाओं के लिए Vsupply <1μm पांचवीं CMOS प्रक्रियाओं के लिए <Vsupply ≦ 100nm पांचवीं <Vsupply, लेकिन पहले से ही Vsupply के एक काफी हिस्सा ... तो मैं अपने बयान relativise और प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के लिए मेरे ऊपर सुनाए से शब्द "छोटे" 100nm ≦ को नकारना चाहिए. संभवतः, तुम सहमत हो सकता है? ;-)
 
[बोली = erikl, 1070009 CMOS प्रक्रियाओं के लिए ≧ 1μm CMOS प्रक्रियाओं के लिए पांचवीं Vsupply «<1μm पांचवीं <Vsupply CMOS प्रक्रियाओं के लिए 100nm पांचवीं <Vsupply, लेकिन पहले से ही Vsupply के एक काफी हिस्सा ≦ ... तो मैं अपने बयान relativise और प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के लिए मेरे ऊपर सुनाए से शब्द "छोटे" 100nm ≦ को नकारना चाहिए. संभवतः, तुम सहमत हो सकता है? ;-) [/ उद्धरण] मैं मतलब है कि कैसे जोड़ने के गेट और नाली आप बिजली की खपत छोटी राशि में मदद करता है [रंग = "रजत"] [आकार = 1] ---------- पोस्ट में जोड़ा 19:52 ---------- पिछला पोस्ट 19:51 पर था [आकार /] ---------- [COLOR /] [बोली = शह और मात, 1,070,003] यदि आप नहीं करते हैं नाली फाटक कनेक्ट, तो गेट अस्थायी है. नाली जोड़ने के द्वारा, आप नाली वोल्टेज फाटक पूर्वाग्रह का उपयोग कर रहे हैं [/QUOTE] ठीक है, मैं बाहरी पूर्वाग्रह दे और अभी भी गेट और नाली से कनेक्ट नहीं कर सकते हैं?
 
[बोली = iVenky, 1070027] मैं मतलब है कि कैसे गेट जोड़ने करता है और नाली आप बिजली की खपत छोटी राशि में मदद करता है [रंग = "रजत"] [आकार = 1] ---------- पोस्ट में जोड़ा 19:52 ---------- पिछला पोस्ट 19:51 पर था [आकार /] ---------- [/ रंग] ठीक है, मैं बाहरी पूर्वाग्रह दे सकते हैं और अभी भी गेट कनेक्ट नहीं और नाली [/QUOTE] एक डायोड के बारे में अच्छी बात यह है कि यह एक वर्तमान दिया जाता है, और यह चतुर्थ विशेषताओं के अनुसार एक वोल्टेज उत्पन्न करता है. आप अपनी मौजूदा लोड को बदल सकते हैं, और यह एक वोल्टेज के अनुसार उत्पन्न होगा. तो बेशक आप एक बाहरी पूर्वाग्रह वोल्टेज प्रदान करते हैं, कर सकते हैं लेकिन आप बेहतर सुनिश्चित करें कि इस वोल्टेज डायोड के समान है बनाना चाहते हैं, अन्यथा आप सिर्फ अपने रेखीय क्षेत्र में वर्तमान दर्पण वर्तमान संदर्भ के लिए वर्तमान स्रोत धक्का होगा. और अपने बाहरी पूर्वाग्रह भी प्राइवेट विविधताओं के कारण वर्तमान में परिवर्तन के रूप में अच्छी तरह से ट्रैक है.
 
[बोली = iVenky, 1070027] मैं मतलब कैसे गेट जोड़ने करता है और नाली आप बिजली की खपत छोटी राशि में मदद करता है? [बोली /] यह इस तरह के उद्देश्य के लिए मदद नहीं करता है. इस सर्किट विधि और बिजली की खपत के बीच कोई संदर्भ है. इस डायोड कनेक्शन "बस पूर्वाग्रह एक MOSFET के. [यू] संतृप्ति क्षेत्र में [/ यू] 2. [यू] मध्यम उलटा में [/ यू] मोड आपरेशन
 

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